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英伟达批准三星8层HBM3E存储芯片

2025-02-05

据报道,知情人士透露,三星电子已获得批准向英伟达供应其第五代高带宽存储芯片的一个版本。三星的8层HBM3E(一种较低级的HBM3E品种)据悉于12月获得英伟达的批准。三星和英伟达的代表拒绝置评。据悉,HBM(High Bandwidth Memory)是一种高带宽内存标准,主要用于满足日益增长的计算需求。相比传统内存,HBM可以提供更高的数据传输速率和更低的延迟。

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